Institut für Mikro- und Nanoelektronische Systeme

VLSI-Technologie

  • type: lecture
  • chair: Institut für Mikro- und Nanoelektronische Systeme
  • semester: Winter term
  • place: Kl. ETI
  • time:

    Mi. 11:30 - 13:00

  • start: 16.04.07
  • lecturer:

    Professor Michael Siegel

  • sws: 2
  • ects: 3
  • lv-no.: 23660
  • exam: mündlich, ca. 20 min.

Ziel:
Die Vorlesung vermittelt das Wissen über höchstintegrierte Schaltkreistechnologien und die Grundlagen der Umsetzung eines Schaltkreisentwurfes in die technologische Ebene.

Inhalt:
Die CMOS-Technik ist heute die Standardtechnologie für die Herstellung höchstintegrierter Schaltkreise. Die Vorlesung vermittelt das Wissen der modernen Halbleitertechnologien mit dem Schwerpunkt auf der CMOS-Technologie. Es werden alle Verfahren und Prozesse zur Herstellung von höchstintegrierten Schaltkreisen behandelt. Ein wesentlicher Schwerpunkt besteht in der Behandlung des funktionellen Aufbaus von Basiszellen der Schaltkreistechnologie. Die wesentlichen Triebfedern der Halbleitertechnologie sowie ihre Grenzen werden besprochen. Neue Konzepte unter Einsatz nanoelektronischer  Ansätze werden behandelt.